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Infineon Technologies IRF6711STRPBF

Numero parte MFG
IRF6711STRPBF
quantità disponibile
68120 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.75504
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Data di spedizione
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
HEXFET® MOSFET N-CH 25V 19A DIRECTFET-SQ
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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IRF6711STRPBF specificazioni

codice articolo del costruttore IRF6711STRPBF
Numero di parte futuro FT-IRF6711STRPBF
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie HEXFET®
IRF6711STRPBF Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 19A (Ta), 84A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8 mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1810pF @ 13V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2.2W (Ta), 42W (Tc)
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore DIRECTFET™ SQ
Pacchetto / caso DirectFET™ Isometric SQ
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF6711STRPBF Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IRF6711STRPBF-FT

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