casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRF6711STRPBF
codice articolo del costruttore | IRF6711STRPBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRF6711STRPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF6711STRPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 19A (Ta), 84A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8 mOhm @ 19A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1810pF @ 13V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.2W (Ta), 42W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DIRECTFET™ SQ |
Pacchetto / caso | DirectFET™ Isometric SQ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF6711STRPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF6711STRPBF-FT |
IRF7749L2TR1PBF
Infineon Technologies
IRF7749L2TRPBF
Infineon Technologies
IRF7759L2TR1PBF
Infineon Technologies
IRF7769L2TR1PBF
Infineon Technologies
IRF7779L2TR1PBF
Infineon Technologies
IRF7799L2TR1PBF
Infineon Technologies
IRF7799L2TRPBF
Infineon Technologies
AUIRF7640S2TR
Infineon Technologies
AUIRF7665S2TR
Infineon Technologies
IRF7665S2TR1PBF
Infineon Technologies
XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N2F40C2LN
Intel
5SGXMA7N3F45I3LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2L
Intel
XC2VP7-7FF672C
Xilinx Inc.
XC7A12T-1CPG238C
Xilinx Inc.
XC7S25-2CSGA324I
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation