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Infineon Technologies IRF40H210

Name: IRF40H210
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF40H210
Price: 0.711376 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (83 reviews)

Numero parte MFG: IRF40H210

quantità disponibile: 53520 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.711376

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: HEXFET®, StrongIRFET™ MOSFET N-CH 40V 100A PQFN5X6

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IRF40H210.pdf

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IRF40H210 specificazioni

codice articolo del costruttore	IRF40H210
Numero di parte futuro	FT-IRF40H210
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®, StrongIRFET™
IRF40H210 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.7 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.7V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	152nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	5406pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	125W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-PQFN (5x6)
Pacchetto / caso	8-PowerVDFN
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF40H210 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IRF40H210-FT

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