casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPW60R125P6XKSA1
codice articolo del costruttore | IPW60R125P6XKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPW60R125P6XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ P6 |
IPW60R125P6XKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125 mOhm @ 11.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 960µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2660pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 219W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO247-3 |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPW60R125P6XKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPW60R125P6XKSA1-FT |
IPI200N15N3 G
Infineon Technologies
IPI200N25N3GAKSA1
Infineon Technologies
IPI22N03S4L15AKSA1
Infineon Technologies
IPI25N06S3-25
Infineon Technologies
IPI25N06S3L-22
Infineon Technologies
IPI26CN10N G
Infineon Technologies
IPI26CNE8N G
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IPI320N20N3GAKSA1
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IPI35CN10N G
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IPI45N06S3-16
Infineon Technologies
A3P030-2QNG68I
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A1425A-1PQ100I
Microsemi Corporation
XC4052XL-09HQ304C
Xilinx Inc.
A3P125-2PQ208I
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A3P250L-VQG100I
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EP3CLS100F484C7
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EP2AGX125DF25C4N
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