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codice articolo del costruttore | IPW60R040C7XKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPW60R040C7XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ C7 |
IPW60R040C7XKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 24.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1.24mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 107nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4340pF @ 400V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 227W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO247-3 |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPW60R040C7XKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPW60R040C7XKSA1-FT |
IPI16CN10N G
Infineon Technologies
IPI16CNE8N G
Infineon Technologies
IPI180N10N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPI200N15N3 G
Infineon Technologies
IPI200N25N3GAKSA1
Infineon Technologies
IPI22N03S4L15AKSA1
Infineon Technologies
IPI25N06S3-25
Infineon Technologies
IPI25N06S3L-22
Infineon Technologies
IPI26CN10N G
Infineon Technologies
IPI26CNE8N G
Infineon Technologies
XCV50-6TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256HC-4SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-45F-8BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V5-VQ100
Microsemi Corporation
EPF10K100ABC600-1
Intel
5SGXMA5K1F40C2LN
Intel
XC4013E-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672I
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CPG196C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FGG144I
Microsemi Corporation