codice articolo del costruttore | IRF3000 |
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Numero di parte futuro | FT-IRF3000 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF3000 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 300V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.6A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 960mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 730pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF3000 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF3000-FT |
BSO080P03NS3GXUMA1
Infineon Technologies
BSO080P03SHXUMA1
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BSO080P03SNTMA1
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BSO083N03MSGXUMA1
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BSO130P03SHXUMA1
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A54SX16A-2TQ144I
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XC3S400-4FG320I
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XC3S700AN-4FGG484I
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5SGXMA3E1H29I2N
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5SGSMD8N3F45I3N
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5SGXMA4H3F35I4N
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XC6VLX195T-2FFG784C
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XC6VLX195T-2FFG784I
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LCMXO2280E-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation