casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSO110N03MSGXUMA1

| codice articolo del costruttore | BSO110N03MSGXUMA1 |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-BSO110N03MSGXUMA1 |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | OptiMOS™ |
| BSO110N03MSGXUMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 12.1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1500pF @ 15V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.56W (Ta) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-DSO-8 |
| Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| BSO110N03MSGXUMA1 Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | BSO110N03MSGXUMA1-FT |

SPP100N06S2L-05
Infineon Technologies

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SPP11N60S5HKSA1
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SPP11N65C3XKSA1
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XC6SLX100T-N3FG900C
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M2GL050TS-1FGG484I
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EP3SL200F1517C4
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XC7A200T-2FB484I
Xilinx Inc.

XC6VCX195T-1FFG1156I
Xilinx Inc.

LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation

EPF10K10LC84-4
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EPF81188ARC240-2
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EP1C12Q240C7
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