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codice articolo del costruttore | BSO083N03MSGXUMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSO083N03MSGXUMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSO083N03MSGXUMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.3 mOhm @ 14A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2100pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.56W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-DSO-8 |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSO083N03MSGXUMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSO083N03MSGXUMA1-FT |
SPP100N04S2-04
Infineon Technologies
SPP100N04S2L-03
Infineon Technologies
SPP100N06S2-05
Infineon Technologies
SPP100N06S2L-05
Infineon Technologies
SPP100N08S2-07
Infineon Technologies
SPP100N08S2L-07
Infineon Technologies
SPP10N10
Infineon Technologies
SPP10N10L
Infineon Technologies
SPP11N60C3XKSA1
Infineon Technologies
SPP11N60CFDHKSA1
Infineon Technologies
XA6SLX45-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A42MX36-2BGG272I
Microsemi Corporation
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL200F1517C2N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
MPM7128SQC100AC
Intel