casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRF1902TRPBF
codice articolo del costruttore | IRF1902TRPBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRF1902TRPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF1902TRPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.2A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.7V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85 mOhm @ 4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 310pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF1902TRPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF1902TRPBF-FT |
BSO080P03NS3EGXUMA1
Infineon Technologies
BSO080P03NS3GXUMA1
Infineon Technologies
BSO080P03SHXUMA1
Infineon Technologies
BSO080P03SNTMA1
Infineon Technologies
BSO083N03MSGXUMA1
Infineon Technologies
BSO094N03S
Infineon Technologies
BSO104N03S
Infineon Technologies
BSO110N03MSGXUMA1
Infineon Technologies
BSO119N03S
Infineon Technologies
BSO130N03MSGXUMA1
Infineon Technologies
LCMXO256C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
XC2V1500-6BGG575C
Xilinx Inc.
XC7K355T-1FFG901I
Xilinx Inc.
XC5VTX150T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFXP3E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG184C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F45I2SG
Intel
EP2AGX190EF29I5
Intel