casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRF1404ZSTRL
codice articolo del costruttore | IRF1404ZSTRL |
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Numero di parte futuro | FT-IRF1404ZSTRL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF1404ZSTRL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 180A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7 mOhm @ 75A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 150nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4340pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 220W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF1404ZSTRL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF1404ZSTRL-FT |
IPB65R660CFDAATMA1
Infineon Technologies
IPB65R660CFDATMA1
Infineon Technologies
IPB70N04S3-07
Infineon Technologies
IPB70N04S406ATMA1
Infineon Technologies
IPB70N10S3L12ATMA1
Infineon Technologies
IPB70N10SL16ATMA1
Infineon Technologies
IPB70P04P409ATMA1
Infineon Technologies
IPB77N06S212ATMA1
Infineon Technologies
IPB77N06S212ATMA2
Infineon Technologies
IPB77N06S3-09
Infineon Technologies
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
M2GL010-FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256M
Microsemi Corporation
A3PN250-2VQ100
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3L
Intel
5SGXMA9N2F45C2LN
Intel
XC7VX690T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC4VLX160-10FF1148C
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
XC2V1500-5FF896I
Xilinx Inc.