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Infineon Technologies IPB77N06S212ATMA2

Name: IPB77N06S212ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB77N06S212ATMA2
Price: 0.594 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (701 reviews)

Numero parte MFG: IPB77N06S212ATMA2

quantità disponibile: 53770 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.594

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fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: OptiMOS™ MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IPB77N06S212ATMA2.pdf

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IPB77N06S212ATMA2 specificazioni

codice articolo del costruttore	IPB77N06S212ATMA2
Numero di parte futuro	FT-IPB77N06S212ATMA2
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	OptiMOS™
IPB77N06S212ATMA2 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	77A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.7 mOhm @ 38A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 93µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	60nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1770pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	158W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO263-3-2
Pacchetto / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPB77N06S212ATMA2 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IPB77N06S212ATMA2-FT

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