casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPB70N04S3-07
codice articolo del costruttore | IPB70N04S3-07 |
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Numero di parte futuro | FT-IPB70N04S3-07 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPB70N04S3-07 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.2 mOhm @ 70A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 50µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2700pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 79W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-3-2 |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB70N04S3-07 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPB70N04S3-07-FT |
IPB12CNE8N G
Infineon Technologies
IPB136N08N3 G
Infineon Technologies
IPB13N03LB
Infineon Technologies
IPB13N03LB G
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IPB147N03LGATMA1
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IPB14N03LA
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IPB14N03LA G
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IPB14N03LAT
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IPB156N22NFDATMA1
Infineon Technologies
IPB16CN10N G
Infineon Technologies
XC3S200A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
A42MX09-VQ100I
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C50F672I8
Intel
XC6SLX4-2CSG225I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFXP6C-3Q208C
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LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
Intel