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Infineon Technologies IPB65R660CFDAATMA1
- Numero parte MFG
- IPB65R660CFDAATMA1
- quantità disponibile
- 17230 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 0.906088
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- Data di spedizione
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- fabbricante
- Infineon Technologies
- Breve descrizione
- Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ MOSFET N-CH TO263-3
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - FET, MOSFETs - Single
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- IPB65R660CFDAATMA1.pdf
IPB65R660CFDAATMA1 specificazioni
| codice articolo del costruttore | IPB65R660CFDAATMA1 |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-IPB65R660CFDAATMA1 |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ |
| IPB65R660CFDAATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 660 mOhm @ 3.2A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 200µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 543pF @ 100V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 62.5W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D²PAK (TO-263AB) |
| Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| IPB65R660CFDAATMA1 Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | IPB65R660CFDAATMA1-FT |
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