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Infineon Technologies IPD60R3K4CEAUMA1
- Numero parte MFG
- IPD60R3K4CEAUMA1
- quantità disponibile
- 37630 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 0.141312
- Il nostro prezzo
- Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci
- Data di spedizione
- Oggi possiamo spedire
- fabbricante
- Infineon Technologies
- Breve descrizione
- - MOSFET N-CH 650V 2.6A TO252-3
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - FET, MOSFETs - Single
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- IPD60R3K4CEAUMA1.pdf
IPD60R3K4CEAUMA1 specificazioni
| codice articolo del costruttore | IPD60R3K4CEAUMA1 |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-IPD60R3K4CEAUMA1 |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| IPD60R3K4CEAUMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.6A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4 Ohm @ 500mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 40µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.6nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 93pF @ 100V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 29W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| IPD60R3K4CEAUMA1 Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | IPD60R3K4CEAUMA1-FT |
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