casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPD50R650CEAUMA1
codice articolo del costruttore | IPD50R650CEAUMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPD50R650CEAUMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
IPD50R650CEAUMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | - |
Tecnologia | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Pacchetto / caso | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD50R650CEAUMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPD50R650CEAUMA1-FT |
IPC045N10L3X1SA1
Infineon Technologies
IPC045N10N3X1SA1
Infineon Technologies
IPC055N03L3X1SA1
Infineon Technologies
IPC100N04S402ATMA1
Infineon Technologies
IPC171N04NX1SA1
Infineon Technologies
IPC173N10N3X1SA1
Infineon Technologies
IPC218N04N3X1SA1
Infineon Technologies
IPC218N04N3X7SA1
Infineon Technologies
IPC218N06L3X1SA1
Infineon Technologies
IPC218N06N3X1SA2
Infineon Technologies
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1K100QC208-1GZ
Intel