casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPD50R650CEAUMA1
codice articolo del costruttore | IPD50R650CEAUMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPD50R650CEAUMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
IPD50R650CEAUMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | - |
Tecnologia | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Pacchetto / caso | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD50R650CEAUMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPD50R650CEAUMA1-FT |
IPC045N10L3X1SA1
Infineon Technologies
IPC045N10N3X1SA1
Infineon Technologies
IPC055N03L3X1SA1
Infineon Technologies
IPC100N04S402ATMA1
Infineon Technologies
IPC171N04NX1SA1
Infineon Technologies
IPC173N10N3X1SA1
Infineon Technologies
IPC218N04N3X1SA1
Infineon Technologies
IPC218N04N3X7SA1
Infineon Technologies
IPC218N06L3X1SA1
Infineon Technologies
IPC218N06N3X1SA2
Infineon Technologies
A54SX32-1TQ144M
Microsemi Corporation
LFXP3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-2FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO2-256HC-4SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-85F-7BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P125-1VQG100
Microsemi Corporation
EP2C15AF484C8N
Intel
5SGXEB6R3F40I3L
Intel
XC4036XL-3HQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-L1CSG324C
Xilinx Inc.