casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPD60R1K0CEAUMA1
codice articolo del costruttore | IPD60R1K0CEAUMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPD60R1K0CEAUMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
IPD60R1K0CEAUMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | - |
Tecnologia | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Pacchetto / caso | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD60R1K0CEAUMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPD60R1K0CEAUMA1-FT |
IPC171N04NX1SA1
Infineon Technologies
IPC173N10N3X1SA1
Infineon Technologies
IPC218N04N3X1SA1
Infineon Technologies
IPC218N04N3X7SA1
Infineon Technologies
IPC218N06L3X1SA1
Infineon Technologies
IPC218N06N3X1SA2
Infineon Technologies
IPC218N06N3X7SA1
Infineon Technologies
IPC26N12NX1SA1
Infineon Technologies
IPC26N12NX2SA1
Infineon Technologies
IPC300N15N3RX1SA2
Infineon Technologies
LFXP3C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V4000-5FF1517I
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG256
Microsemi Corporation
M2GL025TS-VFG256
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23I7
Intel
5SGSED8N3F45I3LN
Intel
5SGXEB5R1F43I2N
Intel
AGL1000V5-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35C2G
Intel