casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPD80R1K2P7ATMA1
codice articolo del costruttore | IPD80R1K2P7ATMA1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IPD80R1K2P7ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ P7 |
IPD80R1K2P7ATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 1.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 80µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 500V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 37W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD80R1K2P7ATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPD80R1K2P7ATMA1-FT |
IRL40SC228
Infineon Technologies
SPB160N04S203CTMA1
Infineon Technologies
SPB160N04S2L03DTMA1
Infineon Technologies
IPS70R2K0CEAKMA1
Infineon Technologies
IPS65R1K4C6AKMA1
Infineon Technologies
IPS70R950CEAKMA1
Infineon Technologies
IPS65R950C6AKMA1
Infineon Technologies
IPS031N03L G
Infineon Technologies
IPS03N03LA G
Infineon Technologies
IPS03N03LB G
Infineon Technologies
A54SX32-TQG144I
Microsemi Corporation
XC4013XL-09PQ208C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FGG256I
Microsemi Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
Intel
AGLP060V5-CS289
Microsemi Corporation
A54SX32A-2TQG100I
Microsemi Corporation
10AX090N4F40E3SG
Intel
10AX115N3F40I3SGES
Intel