casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPD60R180P7SAUMA1
codice articolo del costruttore | IPD60R180P7SAUMA1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IPD60R180P7SAUMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ P7 |
IPD60R180P7SAUMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 18A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 5.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 280µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1081pF @ 400V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 72W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD60R180P7SAUMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPD60R180P7SAUMA1-FT |
IPB240N03S4LR8ATMA1
Infineon Technologies
IPB240N03S4LR9ATMA1
Infineon Technologies
IPB240N04S41R0ATMA1
Infineon Technologies
IPB240N04S4R9ATMA1
Infineon Technologies
IRF135SA204
Infineon Technologies
IRFS7530TRL7PP
Infineon Technologies
IRFS7534TRLPBF
Infineon Technologies
IRL40SC228
Infineon Technologies
SPB160N04S203CTMA1
Infineon Technologies
SPB160N04S2L03DTMA1
Infineon Technologies
XC2VP4-6FGG256C
Xilinx Inc.
XC4052XL-3HQ304C
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A42MX36-PQ208I
Microsemi Corporation
M2GL090TS-1FGG676I
Microsemi Corporation
LFEC10E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100QC208-3N
Intel
EP4SGX180FF35C2XN
Intel
EP1SGX25DF1020C6
Intel