casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPD60R180P7ATMA1
codice articolo del costruttore | IPD60R180P7ATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPD60R180P7ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ P7 |
IPD60R180P7ATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 18A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 5.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 280µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1081pF @ 400V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 72W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD60R180P7ATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPD60R180P7ATMA1-FT |
IPB180P04P4L02ATMA1
Infineon Technologies
IPB240N03S4LR8ATMA1
Infineon Technologies
IPB240N03S4LR9ATMA1
Infineon Technologies
IPB240N04S41R0ATMA1
Infineon Technologies
IPB240N04S4R9ATMA1
Infineon Technologies
IRF135SA204
Infineon Technologies
IRFS7530TRL7PP
Infineon Technologies
IRFS7534TRLPBF
Infineon Technologies
IRL40SC228
Infineon Technologies
SPB160N04S203CTMA1
Infineon Technologies
XA6SLX45-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A42MX36-2BGG272I
Microsemi Corporation
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL200F1517C2N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
MPM7128SQC100AC
Intel