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Infineon Technologies IPD60R180P7ATMA1

Numero parte MFG
IPD60R180P7ATMA1
quantità disponibile
21760 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 1.081112
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Data di spedizione
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
CoolMOS™ P7 MOSFET N-CH 650V 18A TO252-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore IPD60R180P7ATMA1
Numero di parte futuro FT-IPD60R180P7ATMA1
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie CoolMOS™ P7
IPD60R180P7ATMA1 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 18A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180 mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 280µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1081pF @ 400V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 72W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO252-3
Pacchetto / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPD60R180P7ATMA1 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IPD60R180P7ATMA1-FT

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