casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPP60R360P7XKSA1
codice articolo del costruttore | IPP60R360P7XKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPP60R360P7XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ P7 |
IPP60R360P7XKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360 mOhm @ 2.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 140µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 555pF @ 400V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 41W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP60R360P7XKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPP60R360P7XKSA1-FT |
IPB180N06S4H1ATMA2
Infineon Technologies
IPB180N08S402ATMA1
Infineon Technologies
IPB180N10S402ATMA1
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IPB180N10S403ATMA1
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IPB180P04P403ATMA1
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IPB180P04P4L02ATMA1
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IPB240N03S4LR8ATMA1
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IPB240N03S4LR9ATMA1
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IPB240N04S41R0ATMA1
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IPB240N04S4R9ATMA1
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