casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPI600N25N3GAKSA1
codice articolo del costruttore | IPI600N25N3GAKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPI600N25N3GAKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPI600N25N3GAKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 25A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 90µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2350pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 136W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO262-3 |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI600N25N3GAKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPI600N25N3GAKSA1-FT |
BSF024N03LT3GXUMA1
Infineon Technologies
BSF030NE2LQXUMA1
Infineon Technologies
BSF035NE2LQXUMA1
Infineon Technologies
BSF045N03MQ3 G
Infineon Technologies
BSF050N03LQ3GXUMA1
Infineon Technologies
BSF053N03LT G
Infineon Technologies
BSF077N06NT3GXUMA1
Infineon Technologies
BSF083N03LQ G
Infineon Technologies
BSF134N10NJ3GXUMA1
Infineon Technologies
IPI024N06N3GXKSA1
Infineon Technologies
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel