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codice articolo del costruttore | IPW60R190C6FKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPW60R190C6FKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPW60R190C6FKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20.2A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 9.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 630µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 151W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO247-3 |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPW60R190C6FKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPW60R190C6FKSA1-FT |
SPS01N60C3
Infineon Technologies
SPS02N60C3
Infineon Technologies
SPS03N60C3BKMA1
Infineon Technologies
SPS04N60C3BKMA1
Infineon Technologies
IPAN80R450P7XKSA1
Infineon Technologies
SPP16N50C3XKSA1
Infineon Technologies
SPA20N60C3XKSA1
Infineon Technologies
SPA07N60C3XKSA1
Infineon Technologies
SPA04N60C3XKSA1
Infineon Technologies
SPA06N80C3XKSA1
Infineon Technologies
XC7A100T-2FTG256I
Xilinx Inc.
APA450-FGG484A
Microsemi Corporation
10AX032E4F27I3SG
Intel
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC7K325T-L2FBG900I
Xilinx Inc.
LFXP3C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-6MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40I3LG
Intel
EP1AGX35DF780C6
Intel
EP1S40F1020C5N
Intel