casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPAN80R450P7XKSA1
codice articolo del costruttore | IPAN80R450P7XKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPAN80R450P7XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ P7 |
IPAN80R450P7XKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450 mOhm @ 4.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 220µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 770pF @ 500V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 29W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3-31 Full Pack |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPAN80R450P7XKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPAN80R450P7XKSA1-FT |
IRL40SC209
Infineon Technologies
AUIRFSA8409-7P
Infineon Technologies
AUIRFS8407-7P
Infineon Technologies
IPB011N04LGATMA1
Infineon Technologies
IPB011N04NGATMA1
Infineon Technologies
IPB020N04NGATMA1
Infineon Technologies
IPB160N04S3H2ATMA1
Infineon Technologies
IPB180N04S4H0ATMA1
Infineon Technologies
AUIRLS8409-7P
Infineon Technologies
IRFS7734TRL7PP
Infineon Technologies
XC7A15T-2FTG256C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1FFVA1156I
Xilinx Inc.
A3PN030-Z1QNG48
Microsemi Corporation
M2GL025T-VFG400
Microsemi Corporation
EP3C5E144C7
Intel
XC7A200T-1FF1156I
Xilinx Inc.
A3P1000-1FGG144I
Microsemi Corporation
AGL600V2-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX125EF29C6N
Intel
EP20K100EBI356-2X
Intel