casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SPP16N50C3XKSA1
codice articolo del costruttore | SPP16N50C3XKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-SPP16N50C3XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
SPP16N50C3XKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 560V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 16A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 675µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 66nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1600pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 160W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-3 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPP16N50C3XKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SPP16N50C3XKSA1-FT |
AUIRFSA8409-7P
Infineon Technologies
AUIRFS8407-7P
Infineon Technologies
IPB011N04LGATMA1
Infineon Technologies
IPB011N04NGATMA1
Infineon Technologies
IPB020N04NGATMA1
Infineon Technologies
IPB160N04S3H2ATMA1
Infineon Technologies
IPB180N04S4H0ATMA1
Infineon Technologies
AUIRLS8409-7P
Infineon Technologies
IRFS7734TRL7PP
Infineon Technologies
AUIRFS3004-7P
Infineon Technologies
A3PE600-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-2PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP640-SWG16TR50
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX02-PLG68M
Microsemi Corporation
A42MX16-2TQG176
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K20-2AJC
Microchip Technology
EP3CLS200F780I7
Intel
EPF6016AFC100-3N
Intel