casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SPA07N60C3XKSA1
codice articolo del costruttore | SPA07N60C3XKSA1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SPA07N60C3XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
SPA07N60C3XKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7.3A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 4.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 790pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 32W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-FP |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPA07N60C3XKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SPA07N60C3XKSA1-FT |
IPB011N04LGATMA1
Infineon Technologies
IPB011N04NGATMA1
Infineon Technologies
IPB020N04NGATMA1
Infineon Technologies
IPB160N04S3H2ATMA1
Infineon Technologies
IPB180N04S4H0ATMA1
Infineon Technologies
AUIRLS8409-7P
Infineon Technologies
IRFS7734TRL7PP
Infineon Technologies
AUIRFS3004-7P
Infineon Technologies
AUIRFSA8409-7TRL
Infineon Technologies
AUIRLS8409-7TRL
Infineon Technologies
LFXP3C-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C6N
Intel
10AX016C4U19I3SG
Intel
5SGSED6K2F40C2N
Intel
5CGXFC7B6M15I7N
Intel
EP4SGX530KH40C3NES
Intel
5SGXEA5K1F35I2N
Intel
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation