casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SPA07N60C3XKSA1
codice articolo del costruttore | SPA07N60C3XKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-SPA07N60C3XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
SPA07N60C3XKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7.3A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 4.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 790pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 32W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-FP |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPA07N60C3XKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SPA07N60C3XKSA1-FT |
IPB011N04LGATMA1
Infineon Technologies
IPB011N04NGATMA1
Infineon Technologies
IPB020N04NGATMA1
Infineon Technologies
IPB160N04S3H2ATMA1
Infineon Technologies
IPB180N04S4H0ATMA1
Infineon Technologies
AUIRLS8409-7P
Infineon Technologies
IRFS7734TRL7PP
Infineon Technologies
AUIRFS3004-7P
Infineon Technologies
AUIRFSA8409-7TRL
Infineon Technologies
AUIRLS8409-7TRL
Infineon Technologies
M2GL050-1FG484
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-CM36ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
AGL250V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXMA4H3F35I3LN
Intel
XC5VLX50-2FF324I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-2FFG1157I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-9FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I4LN
Intel
EP1C20F324C8N
Intel