casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPW60R099C6FKSA1
codice articolo del costruttore | IPW60R099C6FKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPW60R099C6FKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPW60R099C6FKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 37.9A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99 mOhm @ 18.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.21mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 119nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2660pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 278W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO247-3 |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPW60R099C6FKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPW60R099C6FKSA1-FT |
IPU95R2K0P7AKMA1
Infineon Technologies
IPU95R450P7AKMA1
Infineon Technologies
IPU95R1K2P7AKMA1
Infineon Technologies
IPSA70R1K2P7SAKMA1
Infineon Technologies
IPU95R750P7AKMA1
Infineon Technologies
IPS80R900P7AKMA1
Infineon Technologies
IPP80R600P7XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R180P7XKSA1
Infineon Technologies
IPP80R750P7XKSA1
Infineon Technologies
IPP80R360P7XKSA1
Infineon Technologies
A3P1000L-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256B
Microsemi Corporation
5SEEBF45C3N
Intel
5SGXEABN2F45I2N
Intel
XC6SLX45-N3CSG324C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-N3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F40I3LG
Intel
EP2C20Q240C8N
Intel