casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPW60R099C6FKSA1
codice articolo del costruttore | IPW60R099C6FKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPW60R099C6FKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPW60R099C6FKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 37.9A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99 mOhm @ 18.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.21mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 119nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2660pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 278W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO247-3 |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPW60R099C6FKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPW60R099C6FKSA1-FT |
IPU95R2K0P7AKMA1
Infineon Technologies
IPU95R450P7AKMA1
Infineon Technologies
IPU95R1K2P7AKMA1
Infineon Technologies
IPSA70R1K2P7SAKMA1
Infineon Technologies
IPU95R750P7AKMA1
Infineon Technologies
IPS80R900P7AKMA1
Infineon Technologies
IPP80R600P7XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R180P7XKSA1
Infineon Technologies
IPP80R750P7XKSA1
Infineon Technologies
IPP80R360P7XKSA1
Infineon Technologies
A1020B-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
5SGXMB6R2F40I2N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP2AGX125DF25I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel