casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPW60R099C6FKSA1
codice articolo del costruttore | IPW60R099C6FKSA1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IPW60R099C6FKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPW60R099C6FKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 37.9A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99 mOhm @ 18.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.21mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 119nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2660pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 278W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO247-3 |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPW60R099C6FKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPW60R099C6FKSA1-FT |
IPU95R2K0P7AKMA1
Infineon Technologies
IPU95R450P7AKMA1
Infineon Technologies
IPU95R1K2P7AKMA1
Infineon Technologies
IPSA70R1K2P7SAKMA1
Infineon Technologies
IPU95R750P7AKMA1
Infineon Technologies
IPS80R900P7AKMA1
Infineon Technologies
IPP80R600P7XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R180P7XKSA1
Infineon Technologies
IPP80R750P7XKSA1
Infineon Technologies
IPP80R360P7XKSA1
Infineon Technologies