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codice articolo del costruttore | IPSA70R1K2P7SAKMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPSA70R1K2P7SAKMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ P7 |
IPSA70R1K2P7SAKMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 700V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 900mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 40µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.8nC @ 400V |
Vgs (massimo) | ±16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 174pF @ 400V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 25W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO251-3 |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPSA70R1K2P7SAKMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPSA70R1K2P7SAKMA1-FT |
IPB039N10N3GE8187ATMA1
Infineon Technologies
IPB065N15N3GE8187ATMA1
Infineon Technologies
IPB140N08S404ATMA1
Infineon Technologies
IPB160N04S203ATMA1
Infineon Technologies
IPB160N04S203ATMA4
Infineon Technologies
IPB160N04S2L03ATMA1
Infineon Technologies
IPB160N04S2L03ATMA2
Infineon Technologies
IPB160N04S4LH1ATMA1
Infineon Technologies
IPB160N08S403ATMA1
Infineon Technologies
IPB180N03S4L01ATMA1
Infineon Technologies
AT40K05AL-1BQC
Microchip Technology
XC3S200AN-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FG144
Microsemi Corporation
EPF6010ATI100-2N
Intel
5SGXEABK3H40I4N
Intel
XC4005-5PC84C
Xilinx Inc.
XA7S25-1CSGA225Q
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C6
Intel