casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPSA70R1K2P7SAKMA1
codice articolo del costruttore | IPSA70R1K2P7SAKMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPSA70R1K2P7SAKMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ P7 |
IPSA70R1K2P7SAKMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 700V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 900mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 40µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.8nC @ 400V |
Vgs (massimo) | ±16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 174pF @ 400V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 25W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO251-3 |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPSA70R1K2P7SAKMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPSA70R1K2P7SAKMA1-FT |
IPB039N10N3GE8187ATMA1
Infineon Technologies
IPB065N15N3GE8187ATMA1
Infineon Technologies
IPB140N08S404ATMA1
Infineon Technologies
IPB160N04S203ATMA1
Infineon Technologies
IPB160N04S203ATMA4
Infineon Technologies
IPB160N04S2L03ATMA1
Infineon Technologies
IPB160N04S2L03ATMA2
Infineon Technologies
IPB160N04S4LH1ATMA1
Infineon Technologies
IPB160N08S403ATMA1
Infineon Technologies
IPB180N03S4L01ATMA1
Infineon Technologies
LFXP3C-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C6N
Intel
10AX016C4U19I3SG
Intel
5SGSED6K2F40C2N
Intel
5CGXFC7B6M15I7N
Intel
EP4SGX530KH40C3NES
Intel
5SGXEA5K1F35I2N
Intel
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation