casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPSA70R1K2P7SAKMA1
codice articolo del costruttore | IPSA70R1K2P7SAKMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPSA70R1K2P7SAKMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ P7 |
IPSA70R1K2P7SAKMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 700V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 900mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 40µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.8nC @ 400V |
Vgs (massimo) | ±16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 174pF @ 400V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 25W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO251-3 |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPSA70R1K2P7SAKMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPSA70R1K2P7SAKMA1-FT |
IPB039N10N3GE8187ATMA1
Infineon Technologies
IPB065N15N3GE8187ATMA1
Infineon Technologies
IPB140N08S404ATMA1
Infineon Technologies
IPB160N04S203ATMA1
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IPB160N04S203ATMA4
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IPB160N04S2L03ATMA1
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IPB160N04S2L03ATMA2
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IPB160N04S4LH1ATMA1
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IPB160N08S403ATMA1
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IPB180N03S4L01ATMA1
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LCMXO256C-4T100I
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XC2V1500-6BGG575C
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XC7K355T-1FFG901I
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XC5VTX150T-1FFG1156I
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LFXP3E-5QN208C
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Lattice Semiconductor Corporation
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