casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPP80R360P7XKSA1
codice articolo del costruttore | IPP80R360P7XKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPP80R360P7XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ P7 |
IPP80R360P7XKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 13A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360 mOhm @ 5.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 280µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 930pF @ 500V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 84W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP80R360P7XKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPP80R360P7XKSA1-FT |
IPB160N04S2L03ATMA2
Infineon Technologies
IPB160N04S4LH1ATMA1
Infineon Technologies
IPB160N08S403ATMA1
Infineon Technologies
IPB180N03S4L01ATMA1
Infineon Technologies
IPB180N03S4LH0ATMA1
Infineon Technologies
IPB180N04S302ATMA1
Infineon Technologies
IPB180N04S4L01ATMA1
Infineon Technologies
IPB180N04S4LH0ATMA1
Infineon Technologies
IPB180N06S4H1ATMA1
Infineon Technologies
IPB180N06S4H1ATMA2
Infineon Technologies
XCV50-6TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256HC-4SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-45F-8BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V5-VQ100
Microsemi Corporation
EPF10K100ABC600-1
Intel
5SGXMA5K1F40C2LN
Intel
XC4013E-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672I
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CPG196C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FGG144I
Microsemi Corporation