casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPU95R1K2P7AKMA1
codice articolo del costruttore | IPU95R1K2P7AKMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPU95R1K2P7AKMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ P7 |
IPU95R1K2P7AKMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 950V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 2.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 140µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 478pF @ 400V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 52W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO251-3 |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPU95R1K2P7AKMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPU95R1K2P7AKMA1-FT |
IPB039N10N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB039N10N3GE8187ATMA1
Infineon Technologies
IPB065N15N3GE8187ATMA1
Infineon Technologies
IPB140N08S404ATMA1
Infineon Technologies
IPB160N04S203ATMA1
Infineon Technologies
IPB160N04S203ATMA4
Infineon Technologies
IPB160N04S2L03ATMA1
Infineon Technologies
IPB160N04S2L03ATMA2
Infineon Technologies
IPB160N04S4LH1ATMA1
Infineon Technologies
IPB160N08S403ATMA1
Infineon Technologies
ICE40UP5K-SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S250E-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2V1000-5FGG456I
Xilinx Inc.
10CL010ZU256I8G
Intel
5SGXMA7K2F40I3
Intel
A54SX32A-1TQ100I
Microsemi Corporation
APA075-FGG144
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
Intel
EPF10K50VBC356-2N
Intel
EPF10K50VBI356-4
Intel