casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPS20N03L G
codice articolo del costruttore | IPS20N03L G |
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Numero di parte futuro | FT-IPS20N03L G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IPS20N03L G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO251-3 |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPS20N03L G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPS20N03L G-FT |
IRLZ44ZPBF
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XC3S250E-5PQ208C
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10CL010ZU256I8G
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5SGXMA7K2F40I3
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10AX066N2F40I2SGES
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