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Infineon Technologies IPS12CN10LGBKMA1

Name: IPS12CN10LGBKMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPS12CN10LGBKMA1
Availability: InStock
Rating: 4.6 (53 reviews)

Numero parte MFG: IPS12CN10LGBKMA1

quantità disponibile: 79180 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: OptiMOS™ MOSFET N-CH 100V 69A TO251-3-11

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IPS12CN10LGBKMA1.pdf

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IPS12CN10LGBKMA1 specificazioni

codice articolo del costruttore	IPS12CN10LGBKMA1
Numero di parte futuro	FT-IPS12CN10LGBKMA1
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	OptiMOS™
IPS12CN10LGBKMA1 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	69A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.8 mOhm @ 69A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 83µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	58nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	5600pF @ 50V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	125W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO251-3
Pacchetto / caso	TO-251-3 Stub Leads, IPak
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPS12CN10LGBKMA1 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IPS12CN10LGBKMA1-FT

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