casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPS65R1K0CEAKMA1
codice articolo del costruttore | IPS65R1K0CEAKMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPS65R1K0CEAKMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ CE |
IPS65R1K0CEAKMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.3A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1 Ohm @ 1.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 200µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15.3nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 328pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 37W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-251 |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPS65R1K0CEAKMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPS65R1K0CEAKMA1-FT |
IRF7483MTRPBF
Infineon Technologies
SI3443DVTR
Infineon Technologies
IRFPS3810PBF
Infineon Technologies
IRFPS3810
Infineon Technologies
IRFPS3815PBF
Infineon Technologies
IPB010N06NATMA1
Infineon Technologies
IPB180N04S400ATMA1
Infineon Technologies
IPB017N10N5ATMA1
Infineon Technologies
IPB065N15N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB009N03LGATMA1
Infineon Technologies
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
A1425A-1PQ100I
Microsemi Corporation
XC4052XL-09HQ304C
Xilinx Inc.
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
EP3CLS100F484C7
Intel
EP2AGX125DF25C4N
Intel
EP2AGX65DF25C5
Intel
5CEBA5U19C8N
Intel
EP1C20F324I7N
Intel