casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPW60R045CPAFKSA1
codice articolo del costruttore | IPW60R045CPAFKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPW60R045CPAFKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ |
IPW60R045CPAFKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 44A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 3mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 190nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6800pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 431W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO247-3 |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPW60R045CPAFKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPW60R045CPAFKSA1-FT |
IPI25N06S3L-22
Infineon Technologies
IPI26CN10N G
Infineon Technologies
IPI26CNE8N G
Infineon Technologies
IPI320N20N3GAKSA1
Infineon Technologies
IPI35CN10N G
Infineon Technologies
IPI45N06S3-16
Infineon Technologies
IPI45N06S3L-13
Infineon Technologies
IPI45N06S409AKSA1
Infineon Technologies
IPI45N06S4L08AKSA1
Infineon Technologies
IPI45P03P4L11AKSA1
Infineon Technologies
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel