casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPW60R037P7XKSA1
codice articolo del costruttore | IPW60R037P7XKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPW60R037P7XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ P7 |
IPW60R037P7XKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 76A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 37 mOhm @ 29.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1.48mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 121nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5243pF @ 400V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 255W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO247-3 |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPW60R037P7XKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPW60R037P7XKSA1-FT |
IPS70R1K4CEAKMA1
Infineon Technologies
IPS70R600CEAKMA1
Infineon Technologies
IPS80R1K4P7AKMA1
Infineon Technologies
IPSH4N03LA G
Infineon Technologies
IPSH5N03LA G
Infineon Technologies
IPSH6N03LA G
Infineon Technologies
IPSH6N03LB G
Infineon Technologies
SPS01N60C3
Infineon Technologies
SPS02N60C3
Infineon Technologies
SPS03N60C3BKMA1
Infineon Technologies
A54SX32-1TQ144M
Microsemi Corporation
LFXP3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-2FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO2-256HC-4SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-85F-7BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P125-1VQG100
Microsemi Corporation
EP2C15AF484C8N
Intel
5SGXEB6R3F40I3L
Intel
XC4036XL-3HQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-L1CSG324C
Xilinx Inc.