casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPSH4N03LA G
codice articolo del costruttore | IPSH4N03LA G |
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Numero di parte futuro | FT-IPSH4N03LA G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPSH4N03LA G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 90A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4 mOhm @ 60A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 40µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3200pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 94W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO251-3 |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPSH4N03LA G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPSH4N03LA G-FT |
IPB180N04S400ATMA1
Infineon Technologies
IPB017N10N5ATMA1
Infineon Technologies
IPB065N15N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB009N03LGATMA1
Infineon Technologies
IPB030N08N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB044N15N5ATMA1
Infineon Technologies
IPB160N04S4H1ATMA1
Infineon Technologies
IPB180N04S401ATMA1
Infineon Technologies
IRL40SC209
Infineon Technologies
AUIRFSA8409-7P
Infineon Technologies
XC3S50A-4TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG256
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C40F484C7N
Intel
10M40SAE144I7G
Intel
5SGXEBBR1H43C2LN
Intel
LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9C6F23I7N
Intel
EP20K200CB356C9
Intel
EPF8820AQC208-4AA
Intel