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Infineon Technologies IPS80R1K4P7AKMA1

Numero parte MFG
IPS80R1K4P7AKMA1
quantità disponibile
38200 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.375144
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Data di spedizione
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
CoolMOS™ MOSFET N-CH 800V 4A IPAK-SL
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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Numero di parte futuro FT-IPS80R1K4P7AKMA1
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie CoolMOS™
IPS80R1K4P7AKMA1 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4 Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 700µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -
Caratteristica FET Super Junction
Dissipazione di potenza (max) 32W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO251-3
Pacchetto / caso TO-251-3 Stub Leads, IPak
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPS80R1K4P7AKMA1 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IPS80R1K4P7AKMA1-FT

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