casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPS70R600CEAKMA1
codice articolo del costruttore | IPS70R600CEAKMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPS70R600CEAKMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPS70R600CEAKMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 700V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10.5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 0.21mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 474pF @ 100V |
Caratteristica FET | Super Junction |
Dissipazione di potenza (max) | 86W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO251-3 |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPS70R600CEAKMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPS70R600CEAKMA1-FT |
IRFPS3815PBF
Infineon Technologies
IPB010N06NATMA1
Infineon Technologies
IPB180N04S400ATMA1
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IPB017N10N5ATMA1
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IPB180N04S401ATMA1
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LFEC3E-4T144C
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A42MX24-3PQ208
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5SGXMA9N3F45I3N
Intel
XCS40-4BG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3CSG324C
Xilinx Inc.
APA750-FGG676I
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFX125EB-03F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B7U15C8N
Intel