casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPW50R190CEFKSA1
codice articolo del costruttore | IPW50R190CEFKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPW50R190CEFKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPW50R190CEFKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 18.5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 13V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 6.2A, 13V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 510µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47.2nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1137pF @ 100V |
Caratteristica FET | Super Junction |
Dissipazione di potenza (max) | 127W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO247-3 |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPW50R190CEFKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPW50R190CEFKSA1-FT |
IPSA70R600P7SAKMA1
Infineon Technologies
IPSA70R450P7SAKMA1
Infineon Technologies
IPSA70R900P7SAKMA1
Infineon Technologies
IPS80R750P7AKMA1
Infineon Technologies
IPU80R750P7AKMA1
Infineon Technologies
IPU80R900P7AKMA1
Infineon Technologies
IPSA70R360P7SAKMA1
Infineon Technologies
IPS80R2K4P7AKMA1
Infineon Technologies
IPU80R1K2P7AKMA1
Infineon Technologies
IPU80R600P7AKMA1
Infineon Technologies
M2GL050-1FG484
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-CM36ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
AGL250V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXMA4H3F35I3LN
Intel
XC5VLX50-2FF324I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-2FFG1157I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-9FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I4LN
Intel
EP1C20F324C8N
Intel