casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPSA70R900P7SAKMA1
codice articolo del costruttore | IPSA70R900P7SAKMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPSA70R900P7SAKMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ P7 |
IPSA70R900P7SAKMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 700V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900 mOhm @ 1.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 60µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.8nC @ 400V |
Vgs (massimo) | ±16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 211pF @ 400V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 30.5W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO251-3 |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPSA70R900P7SAKMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPSA70R900P7SAKMA1-FT |
AUIRFSA8409-7TRL
Infineon Technologies
AUIRLS8409-7TRL
Infineon Technologies
IPB014N06NATMA1
Infineon Technologies
IPB015N08N5ATMA1
Infineon Technologies
IPB016N06L3GATMA1
Infineon Technologies
IPB017N06N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB017N10N5LFATMA1
Infineon Technologies
IPB019N08N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB023N06N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB025N10N3GATMA1
Infineon Technologies
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AFS600-2FG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F40I3N
Intel
XCS05-3PC84C
Xilinx Inc.
XC2V4000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG144
Microsemi Corporation
EP3SL150F780C4LN
Intel
EPF10K30RC240-4N
Intel
EP1S60F1020C5N
Intel