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codice articolo del costruttore | IPSA70R600P7SAKMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPSA70R600P7SAKMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ P7 |
IPSA70R600P7SAKMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 700V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8.5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 1.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 90µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5nC @ 400V |
Vgs (massimo) | ±16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 364pF @ 400V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 43.1W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO251-3 |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPSA70R600P7SAKMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPSA70R600P7SAKMA1-FT |
IRFS7734TRL7PP
Infineon Technologies
AUIRFS3004-7P
Infineon Technologies
AUIRFSA8409-7TRL
Infineon Technologies
AUIRLS8409-7TRL
Infineon Technologies
IPB014N06NATMA1
Infineon Technologies
IPB015N08N5ATMA1
Infineon Technologies
IPB016N06L3GATMA1
Infineon Technologies
IPB017N06N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB017N10N5LFATMA1
Infineon Technologies
IPB019N08N3GATMA1
Infineon Technologies
EP20K100ETC144-1N
Intel
LFXP3C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S100-5PQ208I
Xilinx Inc.
A3PE600-PQG208
Microsemi Corporation
10AX027E4F29I3SG
Intel
5SEE9H40C2LN
Intel
A40MX04-PL84I
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP15C-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation