casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPUH6N03LB G
codice articolo del costruttore | IPUH6N03LB G |
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Numero di parte futuro | FT-IPUH6N03LB G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPUH6N03LB G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.3 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 40µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2800pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 83W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO251-3 |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPUH6N03LB G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPUH6N03LB G-FT |
IRFH7545TRPBF
Infineon Technologies
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XA6SLX25T-3FGG484Q
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A54SX32A-FGG484
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10M40DCF672C7G
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