casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFH8303TRPBF
codice articolo del costruttore | IRFH8303TRPBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRFH8303TRPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET®, StrongIRFET™ |
IRFH8303TRPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 43A (Ta), 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 150µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 179nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7736pF @ 24V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.7W (Ta), 156W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-PQFN (5x6) |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFH8303TRPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFH8303TRPBF-FT |
BSC097N06NSTATMA1
Infineon Technologies
BSC098N10NS5ATMA1
Infineon Technologies
BSC100N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC100N03MSGATMA1
Infineon Technologies
BSC100N10NSFGATMA1
Infineon Technologies
BSC105N10LSFGATMA1
Infineon Technologies
BSC106N025S G
Infineon Technologies
BSC109N10NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC110N06NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC110N15NS5ATMA1
Infineon Technologies
LFXP3C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V4000-5FF1517I
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG256
Microsemi Corporation
M2GL025TS-VFG256
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23I7
Intel
5SGSED8N3F45I3LN
Intel
5SGXEB5R1F43I2N
Intel
AGL1000V5-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35C2G
Intel