casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFH7787TRPBF
codice articolo del costruttore | IRFH7787TRPBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRFH7787TRPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET®, StrongIRFET™ |
IRFH7787TRPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 68A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 41A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4030pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 83W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PQFN (5x6) |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFH7787TRPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFH7787TRPBF-FT |
BSC094N03S G
Infineon Technologies
BSC097N06NSTATMA1
Infineon Technologies
BSC098N10NS5ATMA1
Infineon Technologies
BSC100N03LSGATMA1
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BSC100N03MSGATMA1
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BSC100N10NSFGATMA1
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BSC106N025S G
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BSC109N10NS3GATMA1
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BSC110N06NS3GATMA1
Infineon Technologies
A3PE600-1PQG208I
Microsemi Corporation
AT6002-4AC
Microchip Technology
5SGSED8K3F40I4N
Intel
5SGXEB5R1F40I2N
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5SGXMA3K3F40C2N
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EP3SE260F1517C2N
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LFE3-70EA-8LFN672I
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