casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFH7545TRPBF
codice articolo del costruttore | IRFH7545TRPBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRFH7545TRPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | StrongIRFET™ |
IRFH7545TRPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 85A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2 mOhm @ 51A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3890pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 83W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PQFN (5x6) |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFH7545TRPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFH7545TRPBF-FT |
BSC093N15NS5ATMA1
Infineon Technologies
BSC094N03S G
Infineon Technologies
BSC097N06NSTATMA1
Infineon Technologies
BSC098N10NS5ATMA1
Infineon Technologies
BSC100N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC100N03MSGATMA1
Infineon Technologies
BSC100N10NSFGATMA1
Infineon Technologies
BSC105N10LSFGATMA1
Infineon Technologies
BSC106N025S G
Infineon Technologies
BSC109N10NS3GATMA1
Infineon Technologies
LFEC3E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX24-3PQ208
Microsemi Corporation
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
XCS40-4BG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3CSG324C
Xilinx Inc.
APA750-FGG676I
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFX125EB-03F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B7U15C8N
Intel