casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPU50R2K0CEBKMA1
codice articolo del costruttore | IPU50R2K0CEBKMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPU50R2K0CEBKMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPU50R2K0CEBKMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.4A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 13V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 600mA, 13V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 50µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 124pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 22W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO251-3 |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPU50R2K0CEBKMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPU50R2K0CEBKMA1-FT |
IPC90N04S5L3R3ATMA1
Infineon Technologies
IPL60R1K5C6SATMA1
Infineon Technologies
IPL60R2K1C6SATMA1
Infineon Technologies
IPL60R360P6SATMA1
Infineon Technologies
IPL60R650P6SATMA1
Infineon Technologies
IPZ40N04S53R1ATMA1
Infineon Technologies
IPZ40N04S58R4ATMA1
Infineon Technologies
IPZ40N04S5L4R8ATMA1
Infineon Technologies
IRFH4209DTRPBF
Infineon Technologies
IRFH4210DTRPBF
Infineon Technologies
ICE40UP5K-SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S250E-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2V1000-5FGG456I
Xilinx Inc.
10CL010ZU256I8G
Intel
5SGXMA7K2F40I3
Intel
A54SX32A-1TQ100I
Microsemi Corporation
APA075-FGG144
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
Intel
EPF10K50VBC356-2N
Intel
EPF10K50VBI356-4
Intel