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codice articolo del costruttore | IPC90N04S5L3R3ATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPC90N04S5L3R3ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
IPC90N04S5L3R3ATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 90A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3 mOhm @ 45A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 23µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2145pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 62W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TDSON-8-34 |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPC90N04S5L3R3ATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPC90N04S5L3R3ATMA1-FT |
BSC057N08NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC059N03S G
Infineon Technologies
BSC059N04LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC060P03NS3EGATMA1
Infineon Technologies
BSC061N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
BSC066N06NSATMA1
Infineon Technologies
BSC067N06LS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC070N10NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC072N025S G
Infineon Technologies
BSC072N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
LFEC3E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX24-3PQ208
Microsemi Corporation
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
XCS40-4BG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3CSG324C
Xilinx Inc.
APA750-FGG676I
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFX125EB-03F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B7U15C8N
Intel