casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPL60R1K5C6SATMA1
codice articolo del costruttore | IPL60R1K5C6SATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPL60R1K5C6SATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ C6 |
IPL60R1K5C6SATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 1.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 90µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.4nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 200pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 26.6W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | Thin-PAK (5x6) |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPL60R1K5C6SATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPL60R1K5C6SATMA1-FT |
BSC059N03S G
Infineon Technologies
BSC059N04LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC060P03NS3EGATMA1
Infineon Technologies
BSC061N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
BSC066N06NSATMA1
Infineon Technologies
BSC067N06LS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC070N10NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC072N025S G
Infineon Technologies
BSC072N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
BSC076N06NS3GATMA1
Infineon Technologies
XCS20XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-3FG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-1PQG240
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
XC4020E-4HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX09-TQ176
Microsemi Corporation
M1A3P1000L-FGG144
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230HF35C2
Intel