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Infineon Technologies IRFH4209DTRPBF

Numero parte MFG
IRFH4209DTRPBF
quantità disponibile
91800 pezzi
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
FASTIRFET™, HEXFET® MOSFET N-CH 25V 44A 8PQFN
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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IRFH4209DTRPBF specificazioni

codice articolo del costruttore IRFH4209DTRPBF
Numero di parte futuro FT-IRFH4209DTRPBF
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie FASTIRFET™, HEXFET®
IRFH4209DTRPBF Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 44A (Ta), 260A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 74nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4620pF @ 13V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 3.5W (Ta), 125W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PQFN (5x6)
Pacchetto / caso 8-PowerTDFN
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFH4209DTRPBF Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IRFH4209DTRPBF-FT

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