casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPP80R900P7XKSA1
codice articolo del costruttore | IPP80R900P7XKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPP80R900P7XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ P7 |
IPP80R900P7XKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900 mOhm @ 2.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 110µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 500V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 45W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP80R900P7XKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPP80R900P7XKSA1-FT |
IPB160N04S4LH1ATMA1
Infineon Technologies
IPB160N08S403ATMA1
Infineon Technologies
IPB180N03S4L01ATMA1
Infineon Technologies
IPB180N03S4LH0ATMA1
Infineon Technologies
IPB180N04S302ATMA1
Infineon Technologies
IPB180N04S4L01ATMA1
Infineon Technologies
IPB180N04S4LH0ATMA1
Infineon Technologies
IPB180N06S4H1ATMA1
Infineon Technologies
IPB180N06S4H1ATMA2
Infineon Technologies
IPB180N08S402ATMA1
Infineon Technologies
A1020B-VQG80I
Microsemi Corporation
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8L
Intel
XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
EP20K400ERC240-1
Intel
EPF10K10QI208-4
Intel
EPF10K30AQC208-3N
Intel