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Infineon Technologies IPB180N03S4LH0ATMA1

Name: IPB180N03S4LH0ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB180N03S4LH0ATMA1
Price: 1.57068 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (125 reviews)

Numero parte MFG: IPB180N03S4LH0ATMA1

quantità disponibile: 99780 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 1.57068

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fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: OptiMOS™ MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IPB180N03S4LH0ATMA1.pdf

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IPB180N03S4LH0ATMA1 specificazioni

codice articolo del costruttore	IPB180N03S4LH0ATMA1
Numero di parte futuro	FT-IPB180N03S4LH0ATMA1
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	OptiMOS™
IPB180N03S4LH0ATMA1 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	180A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.95 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	300nC @ 10V
Vgs (massimo)	±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	23000pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	250W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO263-7-3
Pacchetto / caso	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPB180N03S4LH0ATMA1 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IPB180N03S4LH0ATMA1-FT

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