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Infineon Technologies IPB180N04S302ATMA1

Numero parte MFG
IPB180N04S302ATMA1
quantità disponibile
16340 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 1.417168
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
OptiMOS™ MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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IPB180N04S302ATMA1 specificazioni

codice articolo del costruttore IPB180N04S302ATMA1
Numero di parte futuro FT-IPB180N04S302ATMA1
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie OptiMOS™
IPB180N04S302ATMA1 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Not For New Designs
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 180A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 230µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 210nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 14300pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO263-7-3
Pacchetto / caso TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPB180N04S302ATMA1 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IPB180N04S302ATMA1-FT

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